IRFP4227PBF現貨參數應用及PDF資料下載

IRFP4227PBF應用
  IRFP4227PBF是HEXFET功率MOSFET，專門為等離子體顯示面板中的持續能量恢復通過開關應用而設計的。采用最新的處理技術，以實現每硅面積的低導通電阻和低脈沖額定值。具有175℃的工作結溫度和高重復峰值電流能力。這些特性結合在一起，使這種MOSFET成為PDP驅動應用中高效、耐用、可靠的器件。

IRFP4227PBF特性
先進工藝技術
為PDP維持優化的關鍵參數，
能量回收和通路開關應用
低脈沖額定值以降低功率
PDP維持、能量回收和通過開關應用中的耗散
低QG快速響應
高重復峰值電流能力，運行可靠
快速切換，下降和上升時間短
175℃工作結溫度，提高耐用性
重復雪崩能力，魯棒性和可靠性
D類音頻放大器300W-500W（半橋）
 
IRFP4227PBF基本參數
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
RoHS: 符合
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝/箱體:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續漏極電流:65 A
Rds On-漏源導通電阻:25 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:±30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
Qg-柵極電荷:70 nC
工作溫度范圍:- 40℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:330 W
尺寸大小:20.7 mm×15.87 mm×5.31 mm
正向跨導-最小值:49 S
下降時間:31 ns
上升時間:20 ns
典型關閉延遲時間:21 ns
典型接通延遲時間:33 ns
單位重量:38 g
 
IRFP4227PBF電力特性

 
IRFP4227PBF特性曲線圖  
 
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